IRF640属于Vishay的第三代PowerMOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率，导通阻抗。IRF640的D2PAK封装可适应高强度电流的应用。IRF640的TO-262则适用于低端通孔安装。

基本参数

IRF640，采用TO-220AB封装方式。晶体管极性:N沟道漏极电流,Id值:18A电压,Vds:200V开态电阻,Rds(on):0.15ohm电压@Rds测量:10V电压,Vgs:4V封装类型:TO-220AB针脚数:3功率,Pd:150W封装类型:TO-220AB晶体管类型:MOSFET热阻,结至外壳A:1°C/W电压Vgs@Rdson测量:10V电压,Vds典型值:200V电流,Id连续:18A电流,Idm脉冲:72A表面安装器件:通孔安装阈值电压,Vgsth典型值:4V阈值电压,Vgsth:4V

特性

贴片安装IRF640S可选卷带包装IRF640S低端通孔安装IRF640L动态dv/dt率150℃工作温度IRF640S、IRF640L快速转换速率可恢复性雪崩测定并行简易仅需简单驱动无铅环保