stt_mram

STT-MRAM存储单元阵列通过选通栅极（字线）和位线实现寻址，通过位线电流实现信息的读写，其特点如下：（1）非易失性、结构简单和制备工艺费用小存储的信息由自由层与固定层磁矩的相对取向决定，读写信息次数高（无限次）；一旦写入信息，即使在断电的情况下也不会丢失，具有非易失性。同时，STT-MRAM省略了附加写信息线，其结构简单，工艺费用少；使得存储密度提高、存储容量增大，并可封装成即插即用式和嵌入式。（2）写信息的功率损耗小、速度快省略了附加写信息线，存储单元的横截面积可更小；通过位线的电流密度更高，便于自旋矩传输；电流减小，可以有较高的电流正负极性变换速度。因此，STT-MRAM写信息的损耗小、功耗低、速度快。